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西数发布BiCS5闪存技术，最大QLC闪存来袭

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西部数据健辉存储芯何炅片技术和制造高级副总裁Steve Paak博士表示，在进入下一个十年的时候，一种新型的3D闪存对持续满足不断增长的数据容量及速率的需求至关重要，而BiCS性能5的成功研发体现了西数在闪存技术上的领导地位及路线图的强大执行力。

近日，根据消息显示，西部数据公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠联合开发而成的，在原有96层堆栈B罗百吉iCS4基础上做到了112层堆栈，有TLC及QLC闪存两种类型，最高核心密度1.33Tb，是目前存储密度最高的产品。

西部数据存储芯片技术和制造高级副总裁Steve Paak博士表示，在进入下一个十年的时候，一种新型的3D闪存对持续满足不断增长的数据容量及速率的需求至关重要，而BiCS5的成功研发体现了西数在闪存技术上的领导地位及路线图的强大执行力。

BiCS5闪存是西数目前最先进、密度最高的3D NAND闪存，通过采用第二代多层存储孔、改进工艺及其他3D NANDg功能等手段显著提升了存储芯片的横向存储密度，再加上112层纵向堆这就是通常所说的打滑栈，使得BiCS5与之前96层堆栈的BiCS4闪存技术有了明显提升，存储容量提升40%，IO性能提升了50%，同时优化了成本。